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1. 英飞凌igbt芯片命名规则？

1、英飞凌igbt芯片命名规则？

英飞凌IGBT芯片的命名规则通常包括以下几个部分：

1. 产品系列：通常以字母开头，如E、T、FS等。

2. 封装类型：通常以数字表示，如1表示TO-220封装，2表示TO-247封装等。

3. 最大额定电压：通常以数字表示，如30表示最大额定电压为30V。

4. 最大额定电流：通常以字母表示，如A表示最大额定电流为10A，B表示最大额定电流为20A等。

5. 其他特殊标识：如温度等级、特殊功能等。

例如，英飞凌IGBT芯片的命名可能是ETG1H030A，其中ET表示产品系列，G1表示TO-247封装，H表示最大额定电压为30V，030表示最大额定电流为3A，A表示温度等级为标准级别。

1 是采用“F3系列”、“Dual-In-Line”、“SMD”、“high speed”等方式进行命名的。
2 具体来说，F3系列是英飞凌公司IGBT芯片的代表系列，其中包括F3 IGBT、F3-SiC MOSFET等不同类型的芯片；Dual-In-Line则是表明芯片的封装形式，即双排直插式封装；SMD是表明芯片的表面贴装封装形式；high speed是表明芯片具有高速开关特性。
这些命名方式都是为了方便用户选择和识别不同类型的芯片。
3 英飞凌IGBT芯片作为高压、高电流开关元件，其命名规则与其他电子元器件有一些不同，需要用户注意。

M AX IM专有产品型号命名

MAX XXX (X) X X X

1 2 3 4 5 6

1．前缀： MAXIM公司产品代号

2．产品字母后缀：

三字母后缀： C=温度范围； P=封装类型； E=管脚数

四字母后缀：B=指标等级或附带功能； C=温度范围； P=封装类型； I=管脚数

3．指标等级或附带功能： A表示5%的输出精度， E表示防静电

4 ．温度范围： C=0℃至70℃（商业级）

I=-20℃至 85℃（工业级）

E=-40℃至 85℃（扩展工业级）

A=-40℃至 85℃（航空级）

M=-55℃至 125℃（军品级）

5．封装形式： A SSOP(缩小外型封装) Q PLCC(塑料式引线芯片承载封装

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