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1. 低压电容充放电计算公式？

1、低压电容充放电计算公式？

电容的串并联容量公式-电容器的串并联分压公式

1.串联公式：C = C1*C2/(C1 C2)

2.并联公式C = C1 C2 C3

补充部分：

串联分压比—— V1 = C2/(C1 C2)*V ........电容越大分得电压越小，交流直流条件下均如此

并联分流比—— I1 = C1/(C1 C2)*I ........电容越大通过的电流越大，当然，这是交流条件下

一个大的电容上并联一个小电容

大电容由于容量大，所以体积一般也比较大，且通常使用多层卷绕的方式制作，这就导致了大电容的分布电感比较大（也叫等效串联电感，英文简称ESL）。

电感对高频信号的阻抗是很大的，所以，大电容的高频性能不好。而一些小容量电容则刚刚相反，由于容量小，因此体积可以做得很小（缩短了引线，就减小了ESL，因为一段导线也可以看成是一个电感的），而且常使用平板电容的结构，这样小容量电容就有很小ESL这样它就具有了很好的高频性能，但由于容量小的缘故，对低频信号的阻抗大。

所以，如果我们为了让低频、高频信号都可以很好的通过，就采用一个大电容再并上一个小电容的式。

常使用的小电容为 0.1uF的CBB电容较好(瓷片电容也行)，当频率更高时，还可并联更小的电容，例如几pF，几百pF的。而在数字电路中，一般要给每个芯片的电源引脚上并联一个0.1uF的电容到地（这个电容叫做退耦电容，当然也可以理解为电源滤波电容，越靠近芯片越好），因为在这些地方的信号主要是高频信号，使用较小的电容滤波就可以了。

你好，低压电容充放电的计算公式可以分为两部分。首先是充电阶段，电容器上的电压Vc(t)可以使用以下公式计算：
Vc(t) = V0 * (1 - e^(-t/(R * C)))
其中，V0是充电开始时电容器上的电压，t是充电时间，R是电路中的电阻，C是电容器的电容。
接下来是放电阶段，电容器的电压Vc(t)会随时间t线性下降，具体公式为：
Vc(t) = V0 * e^(-t/(R * C))
其中，V0是放电开始时电容器上的电压，t是放电时间，R是电路中的电阻，C是电容器的电容。
以上就是低压电容充放电的计算公式。

充电：I=(V/R)×C

放电：Q=I×(R×t)

其中，I表示电流，V表示电压，R表示电阻，C表示电容，Q表示电容量，t表示时间。

在低压电容充放电过程中，电流可以通过电阻对电容进行充电或放电。充电时，电流I可以通过电阻R对电容C进行充电，电容的电压会逐渐升高，直到达到电压V。放电时，电容C通过电阻R进行放电，电流I会逐渐减小，直到电容电压降低到零。

根据以上公式，可以计算出低压电容充放电过程中的电流和电容量。例如，如果电阻R为100欧姆，电容C为1微法，电压V为5伏特，则充电过程中电流I为(5/100)×1=0.05毫安，电容量Q为5伏特/100欧姆×1微法=0.05法拉。

需要注意的是，在实际应用中，还需要考虑电路中的其他元件和环境因素对电容充放电的影响，如电路中的电感、电阻、二极管等元件和环境温度、湿度等因素。因此，在进行实际工程设计和应用时，需要根据具体情况进行调整和优化。

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